В России впервые вырастили монокристаллический слиток оксида галлия
Ученые получили полупроводник, который можно использовать в силовой электронике, солнечно-слепых фотодетекторах, а также для других устройств электроники и оптоэлектроники. Работа над получением первого отечественного объёмного монокристалла Ga2O3 заняла около пяти лет.
Большой интерес к созданию кристаллов Ga2O3 возник в середине 2010-х годов. Японские исследователи опубликовали ряд работ о свойствах этого материала и его преимуществах для использования в различных устройствах. «В 2012-2015 годах вышли первые статьи, в которых начали говорить о таком полупроводнике как оксид галлия, – рассказывает один из авторов полученного результата младший научный сотрудник мегафакультета фотоники Университета ИТМО Дмитрий Панов, – чем он привлек исследователей? Во-первых, шириной запрещенной зоны – больше только у алмаза. Это приводит к тому, что он поглощает именно ультрафиолетовое излучение, что позволяет использовать его, скажем, в солнечно-слепых детекторах. К примеру, летит ракета, от ее сопла идет ультрафиолетовое излучение – датчик видит его, но не засвечивается солнцем. Кроме того, оксид галлия перспективен для приборов силовой электроники. Большая ширина запрещенной зоны делает оксид галлия и приборные структуры на его основе более устойчивыми к воздействию ионизирующих излучений, что открывает перспективы для применения этого материала в сфере электроники для ядерной промышленности и космической электроники».